OBJECTIFS DU MODULE: ELECTRONIQUE ANALOGIQUE ETUDE ANALOGIQUE DE SYSTEMES ELECTRONIQUES PRE-REQUIS PEDAGOGIQUES: ELECTRONIQUE ANALOGIQUE (Indiquer le ou les module(s) requis pour suivre ce module et le semestre correspondant) AVOIR VALIDE LE MODULE ELECTRONIQUE DE BASE DESCRIPTION DU CONTENU DU MODULE: ELECTRONIQUE ANALOGIQUE * Fournir une description détaillée des enseignements et/ou activités pour le module (Cours, TD, TP, Activités Pratiques, …. ). * Pour le cas des Licences d'Etudes Fondamentales, se conformer au contenu du tronc commun national.
Le courant IB sera beaucoup plus sensible aux variations de VE (ou du courant IC). Ce montage permet de limiter VE de 10 à 20% de la tension VCC. La puissance dissipée par RE sera donc nettement inférieure à celle du montage précédent (figure 25-a). Le courant IP sera 5 à 10 fois supérieur au courant IB, car la tension VB doit être pratiquement constante. 3. 3. - STABILISATION PAR THERMISTANCES Le montage est représenté à la figure 26 ci-dessous. La thermistance RT est une résistance dont la valeur est fonction de la température. Elle est constituée par des éléments semi-conducteurs. Ces thermistances sont de deux types. Contre réaction transistor test. Dans un premier cas, la valeur de la thermistance augmente avec la température; on l'appelle une thermistance CTP ou thermistance à C oefficient de T empérature P ositif. Inversement, la valeur de la thermistance peut diminuer lorsque la température augmente; il s'agit d'une t hermistance CTN à C oefficient de T empérature N égatif. Ce deuxième type est plus utilisé. C'est celui utilisé dans le montage proposé.
3- Amplification en tension à charge 1. 4- Amplification en courant 1. 5- Bilan de puissance 1. 6- Bande passante 1. 7- Dynamique de sortie maximum 1. 8- Distorsion 2- Montages fondamentaux du transistor bipolaire 2. 1- Etude du montage émetteur commun 2. 1. 1- Amplification en tension 2. 2- Amplification en courant 2. 3- Amplification en puissance 2. 4- Impédance d'entrée 2. Contre réaction. 5- Impédance de sortie 2. 6- Conclusion 2. 3- Montage collecteur commun 2. 4- Montage base commune 2. 5- Comparaisons des montages 3- Influence des capacités de liaison et capacité de découplage 3. 1- Influence de la capacité de liaison (couplage) 3. 2- Influence de la capacité de découplage. Chapitre 3: Amplificateur en hautes fréquences 1- Modèle équivalent en haute fréquence du transistor bipolaire: 2- Réponse fréquentielle du transistor 3- Théorème de Miller: 4- Montage émetteur commun en HF. 5- Facteur de mérite: 6- Montage base commune en HF. 7- Montage cascode: Chapitre 4: Montages à plusieurs transistors 2 – Amplificateurs à liaison directe 3 – Liaison par condensateur entre deux étages 4 – Montage Darlington 4.
LE but c'est d'étudier le comportement en boucle en gros, on veut mettre l'entrée - à la masse, tout en déconnectant la sortie de l'entré le montage EC, ça revient à shunter Re (pour que l'émetteur soit à la masse). pour determiner le circuit d'entré, la règle dit que s'il y'a raccordement de sortie serie, ouvrir la boucle de sortie mais je sais pas ou je doit ouvrir sur le schéma En gros, cette situation c'est quand un pont résistif R1 et R2 ramène une fraction de la tension de sortie vers l'entrée -. Ce qu'il faut faire, c'est voir l'impédance que voit la sortie (R1+R2), et voir l'impédance que voit l'entrée - (R1//R2).. met R1//R2 sur l'entrée -, on met R1+R2 (pas les mêmes) à la sortie et on a notre schéma en boucle ouverte. PS: bien souvent on vire tout simplement R1 et R2, car leur influence du point de vue impédance est négligeable (genre dans un ampli audio avec entée ampli différentiel, si R1+ R2 = 1k alors que le haut parleur fait 8 s'en moque).. Contre réaction transistor bjt. même qu'à l'entrée: qu'on la mette direct à la masse, ou au travers de R1//R2, ça ne va pas changer grand chose (le potentiel de V- sera ib*R1//R2 au lieu de 0 sachant que ib est normalement faible).